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SK 海力士宣布大规模量产 12 层 HBM3E 芯片,实现 36GB 最大容量

来源:网络 浏览:4次 时间:2024-10-21

9 月 26 日消息,SK 海力士今日宣布,公司全球率先开始量产 12 层 HBM3E 芯片,实现了现有 HBM 产品中最大的 36GB 容量;公司将在年内向客户提供此次产品。

SK 海力士宣布大规模量产 12 层 HBM3E 芯片,实现 36GB 最大容量

首次消息影响,SK 海力士股价在韩国涨超 8%,市值超过 120.34 万亿韩元(当前约 6351.55 亿元人民币)。

据介绍,SK 海力士还堆叠 12 颗 3GB DRAM 芯片,实现与现有的 8 层产品相同的厚度,同时容量提升 50%。为此,公司将单个 DRAM 芯片制造得比以前薄 40%,并采用硅通孔技术(TSV)技术垂直堆叠。

此外,SK 海力士也解决了在将变薄的芯片堆叠更多时产生的结构性问题。公司将其核心技术先进 MR-MUF 工艺应用到此次产品中,散热性能较上一代提升了 10%,并增强了控制翘曲问题,从而确保稳定性和可靠性。

SK 海力士表示,12 层 HBM3E 在面向 AI 的存储器所需要的速度、容量、稳定性等所有方面都已达到全球最高水平。12 层 HBM3E的运行速度可达 9.6Gbps,在搭载四个 HBM 的 GPU 上运行‘Llama 3 70B’大语言模型时每秒可读取 35 次 700 亿个整体参数的水平。